04µmcmos工艺平台。0.4微米栅长, 单层多晶，单层金属. 应用于内置rc振荡器和晶体振荡器，内置32*4位ram, 368k*10的程序rom空间，放音频率从1.5k～27k。工作电压5v，具有详尽的设计规则文件。
1) 工艺特性
ø ø 0.4微米cmos，单多晶，单层金属，双阱工艺。
ø ø 工作电压3.3~5伏。
ø ø 衬底材料为p型、<100>晶向、15~25欧姆.厘米。
ø ø 11块掩模版，14个光刻层。
ø ø 可提供n型只读掩模代码。
ø ø 标准的局部氧化隔离工艺。
ø ø 栅氧厚度为125埃，采用硅化物栅极。
ø ø n/p型轻掺杂漏区和侧壁结构。
ø ø 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。
ø ø 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。
2) 典型应用
ø ø 内置rc振荡器和晶体振荡器
ø ø 内置32*4位ram, 368k*10的程序rom空间
ø ø 放音频率从1.5k～27k