55v~200v trench dmos具有高密度和低通态电阻特性,fmic具有成熟及丰富的经验基于55~200v trench dmos工艺平台及产品,并能提供完整的设计服务;主要应用于电源管理。
1) 工艺特性
ø single poly, single metal n-well dmos基本工艺
ø 5-7层光刻工艺
ø 高密度
ø 低电阻
ø 栅极电荷小
ø 开关速度快
2) 典型应用
ø ups,电动工具
ø dc-dc,m/b
ø 便携器件
55v~200v trench dmos具有高密度和低通态电阻特性,fmic具有成熟及丰富的经验基于55~200v trench dmos工艺平台及产品,并能提供完整的设计服务;主要应用于电源管理。
1) 工艺特性
ø single poly, single metal n-well dmos基本工艺
ø 5-7层光刻工艺
ø 高密度
ø 低电阻
ø 栅极电荷小
ø 开关速度快
2) 典型应用
ø ups,电动工具
ø dc-dc,m/b
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