1.0µm 25/40v hvcmos是方正微电子标准高压主流工艺平台之一。以较少光刻层数为客户提供经济且稳定的高压工艺。工艺平台提供常规及隔离的5v低压cmos，25v或40v高压cmos器件，寄生npn/sub pnp三极管，以及多晶高阻和齐纳二极管等可选器件。同时后段0.5um工艺设计规则可以节省芯片面积，为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则，精确的spice模型，drc和lvs工具包可以支持主要的eda软件工具。
1) 工艺特性
ø 常规低压5v cmos兼容行业标准
ø 15 层光罩，16层光刻层(其中包含高阻和齐纳两个可选层)
ø 采用外延工艺
ø 后段连线工艺可选1.0um和0.5um
ø 双阱，单多晶硅，双栅氧，n 埋层和外延层隔离p阱。
ø 可选器件包含：多晶高阻、齐纳二极管、三极管、其他特殊需求。
ø 工作电压： vds和vds 5-40v
2) 典型应用
ø ø ac-dc 交直流转换电路
ø ø led 驱动电路