05µm 2p2m cmos工艺平台。0.5微米栅长, 双层多晶，双层金属. 应用于led 电路驱动，工作电压3.3v~5v, （12v，40v 可选）。具有详尽的设计规则，精确的spice模型。
工艺特性
ø ø 工作电压3.3v~5v，（12v，40v 可选），0.5微米cmos，双多晶，两层金属，双阱工艺。
ø ø 衬底材料为p型、<100>晶向、15~25欧姆.厘米。
ø ø 12块掩模版，15个光刻层。
ø ø 可提供n型只读掩模代码。
ø ø 标准的局部氧化隔离工艺。
ø ø 栅氧厚度为125埃，采用硅化物栅极。
ø ø n/p型轻掺杂漏区和侧壁结构。
ø ø 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。
ø ø 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。
ø ø imd sog 平坦化工艺。
ø ø 钨塞工艺
ø ø pop多晶硅电容。
ø ø 多晶硅电阻。
2) 典型应用
ø ø dc-ac 转换
ø ø ldo 电路驱动
ø ø 电源管理芯片
ø ø 充电器管理ic
ø ø led电路驱动