0.5µm 2p2m 20-60v bicmos技术是fmic自主开发的低导通电阻的bcd工艺平台，其工艺具有典型性，与传统cmos工艺相兼容，驱动能力强，成本较低，附加值高. 平台产品可以广泛的应用于电源管理、led驱动、汽车电子等高端消费电子领域。
工艺特性
ø n 型外延，n型埋层工艺
ø 双多晶硅栅，多晶硅一用作高压mos的栅极，poly2用作低压mos的栅极
ø pn结和局部氧化隔离
ø 氮化硅侧墙工艺
ø 接触孔和通孔采用钨塞工艺
ø 可选顶层厚铝
ø 标准 40v/5v bcd 采用20层光罩，20层光刻层
典型应用ø 驱动电路
ø 电源管理电路
ø d级放大器
ø 高压模拟产品