05µm 1p2m cmos工艺平台。0.5微米栅长, 单层多晶，双层金属. 应用于led电路驱动，工作电压3.3v~5v, （12v，40v 可选）。具有详尽的设计规则，精确的spice模型。
0.5um 1p2mcmos process platform。0.5um gate length，single poly, double metal，application for led driver，core/io voltage：3.3v～5.0v, （12v, 40v optional）。fmic has the elaborate design rule document，and the spice modeling.
1) 工艺特性
ø ø 工作电压3.3v~5v，（12v，40v可选），0.5微米cmos，单多晶，两层金属，双阱工艺。
ø ø 衬底材料为p型、<100>晶向、15~25欧姆.厘米。
ø ø 10块掩模版，13个光刻层。
ø ø 可提供n型只读掩模代码。
ø ø 标准的局部氧化隔离工艺。
ø ø 栅氧厚度为125埃，采用硅化物栅极。
ø ø n/p型轻掺杂漏区和侧壁结构。
ø ø 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。
ø ø 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。
ø ø imd sog 平坦化工艺。
ø ø 钨塞工艺
2) 典型应用
ø ø dc-ac 转换
ø ø ldo 电路驱动
ø ø 电源管理芯片
ø ø 充电器管理ic
ø ø led电路驱动