800v cdmos工艺平台集成了 lvcmos、 mv cmos 和高压dmos以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。特别合适离线式电源（ac/dc）和led 驱动产品设计.
工艺特性
ø 集成了垂直的800v vdmos器件，bv超过900v
ø vld(横向变掺杂技术)的终端可节省三分之一的芯片面积
ø 采用了厚外延片，外延电阻率高
ø 双阱，单多晶，单层金属，背面减薄和背金工艺
ø 11层光罩，12个光刻层
ø 集成了各种低、中、高压器件，包含对称和非对称结构，增强和耗尽型的类型
ø 集成了栅氧电容、齐纳二极管、低阻值多晶硅电阻
ø 可实现高压和低压器件的隔离
典型应用
ø 电源管理
ø 显示驱动
ø 汽车电子