0.5µm 40v/40v hvcmos技术是fmic自主开发的非外延高压cmos通用工艺平台。与同领域典型的1.0um 40v hvcmos工艺平台相比，生产周期和成本相近的情况下，集成度可明显提升；与同行业类似的0.5um hvcmos平台相比，生产周期和生产成本均可减少约20%该平台产品可以广泛的应用于电源管理、led驱动等消费电子领域。
1) 工艺特性
ø ø 常规5v 低压mos兼容行业标准
ø ø 19层光罩，19个光刻层（其中包含3个可选层），采用非外延工艺
ø ø 四阱工艺： 深隔离n阱，高压n阱，n阱，p阱
ø ø 采用局部氧化和pn结隔离
ø ø 双栅氧，125a和1000a
ø ø sog平坦化，钨塞工艺
ø ø 工作电压： vgs&vds 5-40v
2) 典型应用
ø ø ac/dc 转换电路
ø ø dc/dc 转换电路
ø ø 驱动电路
ø ø 高压模数混合电路