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40v～200v trench sbd具有高耐压大电流，高频低功耗，芯片占用面积小等优良特性;fmic可提供40v～200v系列成熟稳定的工艺平台及高良率产品，可应用在各种高频开关电源等器件上。

1)    工艺特性

ø  0.75um 沟槽肖特基技术

ø  4层光刻工艺

ø  低电阻率外延硅材料

ø  沟槽工艺

ø  高耐压，大电流

ø  高频低功耗，占用面积小

2)    典型应用

ø  稳压器

ø  整流器

ø  逆变器

ø  ups

ø  钳位二极管