06µm 1p2m cmos工艺平台。0.6微米栅长, 单层多晶，双层金属. 应用于电源管理产品，工作电压5伏（24v 可选）。具有详尽的设计规则。
1) 工艺特性
ø ø 0.6微米cmos，单多晶，两层金属，双阱工艺。
ø ø 工作电压5伏（24v 可选）。
ø ø 衬底材料为p型、<100>晶向、15~25欧姆.厘米。
ø ø 11块掩模版，13个光刻层。
ø ø 可提供n型只读掩模代码。
ø ø 标准的局部氧化隔离工艺。
ø ø 栅氧厚度为150埃，采用多晶硅栅极。
ø ø n/p型轻掺杂漏区和侧壁结构。
ø ø 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。
ø ø 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。
ø ø imd平坦化工艺。
2) 典型应用
ø ø dc-ac 转换
ø ø 电源管理芯片
ø ø 充电器管理ic
ø ø led电路驱动