04微米cmos工藝平臺。0.4微米柵長, 單層多晶，單層金屬. 應用於內置rc振盪器和晶體振盪器，內置32*4位ram, 368k*10的程式rom空間，放音頻率從1.5k～27k。工作電壓5v，具有詳盡的設計規則檔。
1) 工藝特性
ø 0.4微米cmos，單多晶，單層金屬，雙阱工藝。
ø 工作電壓3.3~5伏。
ø 襯底材料為p型、<100>晶向、15~25歐姆.釐米。
ø 11塊掩模版，14個光刻層。
ø 可提供n型唯讀掩模代碼。
ø 標準的局部氧化隔離工藝。
ø 柵氧厚度為125埃，採用矽化物柵極。
ø n/p型輕摻雜漏區和側壁結構。
ø 鈦/氮化鈦/鋁矽銅/氮化鈦結構的互連層。
ø 氧化矽/氮化矽結構的鈍化層。
2) 典型應用
ø 內置rc振盪器和晶體振盪器
ø 內置32*4位ram, 368k*10的程式rom空間
ø 放音頻率從1.5k～27k