trench dmos具有高密度和低通态电阻特性,fmic具有成熟及丰富的经验基于55~200v trench dmos工艺平台及产品,并能提供完整的设计服务;主要应用于电源管理。
1) 工艺特性 ø single poly, single metal n-well dmos基本工艺 ø 6层光刻工艺 ø 高密度 ø 低电阻 ø 栅极电荷小 ø 开关速度快 2) 典型应用 ø ups,电动工具 ø dc-dc,m/b ø 便携器件
1) 工艺特性
ø single poly, single metal n-well dmos基本工艺
ø 6层光刻工艺
ø 高密度
ø 低电阻
ø 栅极电荷小
ø 开关速度快
2) 典型应用
ø ups,电动工具
ø dc-dc,m/b
ø 便携器件
版權所有 ® 2011-2013 深圳方正微電子有限公司
亚博88体育 copyright ® 2011-2013 shenzhen founder microelectronics co., ltd. all rights reserved