20-60v bcd技術是fmic自主開發的低導通電阻的bcd工藝平臺，其工藝具有典型性，與傳統cmos工藝相相容，驅動能力強，成本較低，附加值高. 平臺產品可以廣泛的應用於電源管理、led驅動、汽車電子等高端消費電子領域。
1) 工藝特性
ø n 型外延，n型埋層工藝
ø 雙多晶矽柵，多晶矽一用作高壓mos的柵極，poly2用作低壓mos的柵極
ø pn結和局部氧化隔離
ø 氮化矽側牆工藝
ø 接觸孔和通孔採用鎢塞工藝
ø 可選頂層厚鋁
ø 標準40v/5v bcd 採用20層光罩，20層光刻層
2) 典型應用
ø 驅動電路
ø 電源管理電路
ø d級放大器
ø 高壓類比產品