1.0um hvcmos是方正微電子標準高壓主流工藝平臺之一。以較少光刻層數為客戶提供經濟且穩定的高壓工藝。工藝平臺提供常規及隔離的5v低壓cmos，25v或40v高壓cmos器件，寄生npn/sub pnp三極管，以及多晶高阻和齊納二極體等可選器件。同時後段0.5um工藝設計規則可以節省晶片面積，為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的spice模型，drc和lvs工具包可以支援主要的eda軟體工具。
1) 工藝特性
ø常規低壓5v cmos相容行業標準
ø15 層光罩，16層光刻層(其中包含高阻和齊納兩個可選層)
ø採用外延工藝
ø後段連線工藝可選1.0um和0.5um
ø雙阱，單多晶矽，雙柵氧，n 埋層和外延層隔離p阱。
ø可選器件包含：多晶高阻、齊納二極體、三極管、其他特殊需求。
ø工作電壓： vds和vds 5-40v
2) 典型應用
ø øac-dc 交直流轉換電路
ø øled 驅動電路