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rf ldmos具有频率高、功率容量大、线形度好、效率高等突出优势。fmic拥有成熟的28v rf ldmos工艺，频率涵盖400mhz~2700mhz。

1)    工艺特性

ø  背面源技术

ø  厚氧隔离工艺

ø  multi-resurf 技术

ø  超低的栅极电阻

ø  屏蔽环工艺

ø  厚铝工艺

2)    典型应用

ø  rf功率放大器

ø  hf、vhf和uhf广播传输器

ø  微波雷达与导航系统

ø  cdma、w-cdma、tetra、数字地面电视