08um1p2mcmos工藝平臺。0.8微米柵長, 單層多晶，雙層金屬. 應用於led電路驅動，工作電壓5伏。具有詳盡的設計規則。
1) 工藝特性
ø 0.8微米cmos，單多晶，兩層金屬，雙阱工藝。
ø 工作電壓5伏。
ø 襯底材料為n型、<100>晶向、4~7歐姆.釐米。
ø 11塊掩模版，12個光刻層。
ø 可提供n型唯讀掩模代碼。
ø 標準的局部氧化隔離工藝。
ø 柵氧厚度為200埃，採用多晶矽柵極。
ø n/p型輕摻雜漏區和側壁結構。
ø 鈦/氮化鈦/鋁矽銅/氮化鈦結構的互連層。
ø 氧化矽/氮化矽結構的鈍化層。
ø imd 平坦化工藝。
2) 典型應用
ø dc-ac 轉換
ø 電源管理晶片
ø 充電器管理ic
ø led電路驅動