05um1p2mcmos工藝平臺。0.5微米柵長, 單層多晶，雙層金屬. 應用於led 電路驅動，工作電壓3.3v~5v, （12v，40v 可選）。具有詳盡的設計規則，精確的spice模型。
1) 工藝特性
ø 工作電壓3.3v~5v，（12v，40v可選），0.5微米cmos，單多晶，兩層金屬，雙阱工藝。
ø 襯底材料為p型、<100>晶向、15~25歐姆.釐米。
ø 10塊掩模版，13個光刻層。
ø 可提供n型唯讀掩模代碼。
ø 標準的局部氧化隔離工藝。
ø 柵氧厚度為125埃，採用矽化物柵極。
ø n/p型輕摻雜漏區和側壁結構。
ø 鈦/氮化鈦/鋁矽銅/氮化鈦結構的互連層。
ø 氧化矽/氮化矽結構的鈍化層。
ø imd sog 平坦化工藝。
ø 鎢塞工藝
2) 典型應用
ø dc-ac 轉換
ø ldo 電路驅動
ø 電源管理晶片
ø 充電器管理ic
ø led電路驅動