1.0um 800v 工藝平臺集成了lvcmos、mv cmos 和高壓dmos以及多晶高阻和齊納二極體等器件。特別合適離線式電源（ac/dc）和led 驅動產品設計.
1) 工藝特性
n 集成了垂直的800v vdmos器件，bv超過900v
n vld(橫向變摻雜技術)的終端可節省三分之一的晶片面積
n 採用了厚外延片，外延電阻率高
n 雙阱，單多晶，單層金屬，背面減薄和背金工藝
n 11層光罩，12個光刻層
n 集成了各種低、中、高壓器件，包含對稱和非對稱結構，增強和耗盡型的類型
n 集成了柵氧電容、齊納二極體、低阻值多晶矽電阻
n 可實現高壓和低壓器件的隔離
2) 典型應用
ø 電源管理
ø 顯示驅動
ø 汽車電子