5月21日，助理总裁禹久赢代表公司专程前往成都电子科技大学拜访了我国著名的半导体器件及微电子学专家陈星弼院士，并聘请陈院士为方正微电子特聘首席技术顾问。
陈星弼院士是国际知名的半导体器件物理专家。他在新型功率器件及其集成电路这一重要领域做出了一系列突出贡献。他在中国率先立项完成vdmost、igbt、ldmost、spic等重要器件及相关技术。他是首位提出各种结终端技术物理解释并完成理论分析的科学家；他创新性地提出两类纵向导电的器件新耐压结构，并给出了唯一的三维电场分析结果，这一成果被国际上誉为功率器件的新里程碑；他发明的coolmos是目前为止vdmos领域最好的器件结构；他的复合缓冲耐压技术与cmos/bicmos工艺完全兼容，采用该技术可以获得性价比远优于传统bcd技术的功率集成器件。他新提出的“一种高速igbt”新结构，是国际上20多年来igbt器件结构领域里程碑式的重大突破，这一成果将带igbt进入一个成本低廉、速度可与vdmos相比拟的高速时代。
陈星弼院士的加盟，将对我司在产品与技术研发、产品结构调整、人才团队培养等方面产生积极而重要的作用。