| 项目名称 | 低成本氮化镓器件与系统集成技术 |
| 拟提名奖项及等级 | 拟提名广东省科技进步奖二等奖 |
| 主要完成单位 | 单位1南方科技大学 |
| 单位2深圳市芯茂微电子有限公司 | |
| 单位3深圳方正微电子有限公司 | |
| 主要完成人 （职称、完成单位、工作单位） | 1.于洪宇（教授、南方科技大学、负责项目的总体布局，技术路线制定，研发指导，经费监管，人才培养，项目推进与监督） |
| 2.赵鑫（无职称、深圳市芯茂微电子有限公司、负责电源系统整体方案的制定和具体实施，以及器件和电路设计指导） | |
| 3.汪青（副研究员、南方科技大学、负责器件和工艺部分的团队建设，人才培养，技术路线制定和项目统筹规划，器件设计和制备） | |
| 4.陈建国（工程师、深圳方正微电子有限公司、氮化镓器件击穿特性提升，栅极可靠性提升，欧姆接触优化，及生产良率提升） | |
| 5.蒋苓利（工程师、南方科技大学、南方科技大学、负责研发具体实施的推进，团队工作指导，平台搭建，gan模块电路开发设计指导与实施） | |
| 代表性论文 专著目录 | 论文1：evaluation of lpcvd sinx gate dielectric reliability by tddb measurement in si-substrate-based algan/gan mis-hemt、ieee transactions on electron devices、2018（65)、戚永乐、于洪宇 |
| 论文2：ultra-low contact resistivity of < 0.1 omega mm for au-free tixaly alloy contact on non-recessed i-algan/gan、ieee electron device letters、2020（41）、范梦雅、蒋玉龙、于洪宇 | |
| 论文3：gate leakage suppression and breakdown voltage enhancement in p-gan hemts using metal/graphene gates、ieee transactions on electron devices、2020（67）、周广楠、夏光睿、于洪宇 | |
| 论文4：quasi-normally-off algan/gan hemts with sinₓ stress liner and comb gate for power electronics applications、ieee journal of the electron devices society、2020（8）、郑韦志、汪青、于洪宇 | |
| 论文5：a novel oxygen-based digital etching technique for p-gan/algan structures without etch-stop layers、chinese physics letters、2020（37）、蒋洋、汪青、于洪宇 | |
| 知识产权名称 | 专利1：<一种集成不同厚度金属层以调节功函数的方法>（zl201410018922.5、于洪宇；张淑祥；杨清华、南方科技大学；中国科学院微电子研究所） |
| 专利2：<一种后栅工艺中的栅极形成方法>（zl201410018494.6、于洪宇；张淑祥；杨红、南方科技大学；中国科学院微电子研究所） | |
| 专利3：<一种同步整流控制装置及其同步整流控制电路>（zl201710911260.8、赵鑫；宗强；刘准；管磊、深圳市芯茂微电子有限公司） | |
| 专利4：<一种氮化镓器件及封装方法>（zl201410387076.4、陈建国；谢春诚；刘蓬、北大方正集团有限公司；深圳方正微电子有限公司） | |
| 专利5：<一种同步整流周期预关断电路>（zl201710911230.7、赵鑫；刘准；吴寿化；管磊；殷忠、深圳市芯茂微电子有限公司） |