作为第三代半导体材料双雄之一的碳化硅，具有高电场强度，高热导率，宽禁带宽度，高饱和漂移速度优点，广泛应用在微波及高频和短波长器件以及功率半导体领域。
我司自2014年9月开始与华智科技（国际）有限公司合作开发碳化硅二极管，经前期技术讨论，产品设计，流程测试，历时近一年，2015年9月中旬完成产品测试，第一次流片达到设计1200v的设计要求，合作成果超越了华智的预期，体现了我司的在特种器件上的雄厚的技术储备和强大工艺加工能力，为后续类似的产品开发和量产打下坚实的基础。
2015年9月15日华智科技ceo谭志明先生专程赶到深圳向开发团队致谢，向王贺光总裁赠送“大中华区第一片6英寸碳化硅二极管”纪念牌，并商讨进一步深入合作事宜。
