6月上旬获悉，由方正集团和深圳方正微电子有限公司共同申报的发明专利《method for manufacturing double-layer polysilicon gate》于5月13日在美国授权；这项专利的应用，可解决某研发项目长期以来遗留的一个重大技术难题，提高产品的附加值。方正微电子从2007年开始自主知识产权的布局工作，于2008年4月向国家专利局递交第一篇专利稿，2009年4月第一个实用新型专利在国内授权，2010年3月第一个发明专利在国内授权，2012年12月第一次向美国专利局递交专利申报稿。此次的美国专利授权，是方正微电子在海外授权的第一个专利，是方正微电子知识产权工作的又一个重要里程碑。半导体行业是全球范围内竞争的技术密集型产业，企业的竞争某种程度上是技术创新和知识产权的竞争，近年来，国内企业逐步重视海外专利的申请和保护。
