6月上旬獲悉，由方正集團和深圳方正微電子有限公司共同申報的發明專利《method for manufacturing double-layer polysilicon gate》於5月13日在美國授權；這項專利的應用，可解決某研發項目長期以來遺留的一個重大技術難題，提高產品的附加值。方正微電子從2007年開始自主知識產權的佈局工作，於2008年4月向國家專利局遞交第一篇專利稿，2009年4月第一個實用新型專利在國內授權，2010年3月第一個發明專利在國內授權，2012年12月第一次向美國專利局遞交專利申報稿。此次的美國專利授權，是方正微電子在海外授權的第一個專利，是方正微電子知識產權工作的又一個重要里程碑。半導體行業是全球範圍內競爭的技術密集型產業，企業的競爭某種程度上是技術創新和知識產權的競爭，近年來，國內企業逐步重視海外專利的申請和保護。
