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08um1p2mcmos工艺平台。0.8微米栅长, 单层多晶，双层金属. 应用于led电路驱动，工作电压5伏。具有详尽的设计规则。

1)      工艺特性

ø    0.8微米cmos，单多晶，两层金属，双阱工艺。

ø    工作电压5伏。

ø    衬底材料为n型、<100>晶向、4~7奥姆.厘米。

ø    11块掩模版，12个光刻层。

ø    可提供n型只读掩模代码。

ø    标准的局部氧化隔离工艺。

ø    栅氧厚度为200埃，采用多晶硅栅极。

ø    n/p型轻掺杂漏区和侧壁结构。

ø    钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。

ø    氧化硅/氮化硅结构的钝化层。

ø    imd 平坦化工艺。

2)        典型应用

ø    dc-ac 转换

ø    电源管理芯片

ø    充电器管理ic

ø    led电路驱动