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04微米cmos工艺平台。0.4微米栅长, 单层多晶，单层金属. 应用于内置rc振荡器和晶体振荡器，内置32*4位ram, 368k*10的程序rom空间，放音频率从1.5k～27k。工作电压5v，具有详尽的设计规则文件。

1)        工艺特性

ø    0.4微米cmos，单多晶，单层金属，双阱工艺。

ø    工作电压3.3~5伏。

ø    衬底材料为p型、<100>晶向、15~25奥姆.厘米。

ø    11块掩模版，14个光刻层。

ø    可提供n型只读掩模代码。

ø    标准的局部氧化隔离工艺。

ø    栅氧厚度为125埃，采用硅化物栅极。

ø    n/p型轻掺杂漏区和侧壁结构。

ø    钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。

ø    氧化硅/氮化硅结构的钝化层。

2)        典型应用

ø    内置rc振荡器和晶体振荡器

ø    内置32*4位ram, 368k*10的程序rom空间

ø    放音频率从1.5k～27k