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1.0um 800v 工艺平台集成了 lvcmos、 mv cmos 和高压dmos以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。特别合适离线式电源（ac/dc）和led 驱动产品设计.

1.0um 800v process platform integrated lvcmos, mv cmos, hv dmos and other option device such as high resistance poly resistor and zener diodes.  it is a good choice for customer to design off-line ac/dc power source and led driver.

1)        工艺特性

n    集成了垂直的800v vdmos器件，bv超过900v

n    vld(横向变掺杂技术)的终端可节省三分之一的芯片面积

n    采用了厚外延片，外延电阻率高

n    双阱，单多晶，单层金属，背面减薄和背金工艺

n    11层光罩，12个光刻层

n    集成了各种低、中、高压器件，包含对称和非对称结构，增强和耗尽型的类型

n    集成了栅氧电容、齐纳二极管、低阻值多晶硅电阻

n    可实现高压和低压器件的隔离

2)        典型应用

ø    电源管理

ø    显示驱动

ø    汽车电子