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20-60v bcd技术是fmic自主开发的低导通电阻的bcd工艺平台，其工艺具有典型性，与传统cmos工艺相兼容，驱动能力强，成本较低，附加值高. 平台产品可以广泛的应用于电源管理、led驱动、汽车电子等高端消费电子领域。

1)   工艺特性

ø   n 型外延，n型埋层工艺

ø   双多晶硅栅，多晶硅一用作高压mos的栅极，poly2用作低压mos的栅极

ø   pn结和局部氧化隔离

ø   氮化硅侧墙工艺

ø   接触孔和通孔采用钨塞工艺

ø   可选顶层厚铝

ø   标准 40v/5v bcd 采用20层光罩，20层光刻层

2)      典型应用

ø   驱动电路

ø   电源管理电路

ø   d级放大器

ø   高压模拟产品