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igbt(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率mosfet的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,在各种电力变换中获得极广泛的应用,fmic已具备该工艺产品的研发能力。
1) 工艺特性
ø 非穿通技术
ø 阻断电压:600~1700v
ø 驱动电流大
ø 饱和压降低
ø 开关速度快
2) 典型应用
ø 电磁炉
ø 电机驱动
ø 电焊机
ø 变频器
igbt(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率mosfet的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,在各种电力变换中获得极广泛的应用,fmic已具备该工艺产品的研发能力。
1) 工艺特性
ø 非穿通技术
ø 阻断电压:600~1700v
ø 驱动电流大
ø 饱和压降低
ø 开关速度快
2) 典型应用
ø 电磁炉
ø 电机驱动
ø 电焊机
ø 变频器